[发明专利]一种发光二极管外延片

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片，属于发光二极管技术领域，该外延片包括衬底、依次形成在衬底上的第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层，电子阻挡层包括形成在有源层上的第一子层及形成在第一子层上的P型掺杂的第二子层；第一子层包括依次设置在有源层上的u-GaN层和Al1-yGayN层；或者，第一子层包括u-GaN/Al1-yGayN超晶格，0<y<1；第二子层包括依次设置在第一子层上的InxGa1-xN层、SiN层和AlaInbGa1-a-bN层；或者，第二子层包括N个由InxGa1-xN层和AlaInbGa1-a-bN层构成的周期性结构以及M个设于InxGa1-xN层和AlaInbGa1-a-bN层之间的SiN层，相邻设置的InxGa1-xN层和AlaInbGa1-a-bN层之间只设有一个SiN层，N为整数，且2≤N，M为整数，且1≤M≤2N-1，0<X＜1，0<a<1，0<a+b<1。

主权项

一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底、依次形成在所述衬底上的第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层，所述第一半导体层包括N型GaN层，所述第二半导体层包括P型GaN层，其特征在于，所述电子阻挡层包括形成在所述有源层上的第一子层及形成在所述第一子层上的P型掺杂的第二子层；所述第一子层包括依次设置在所述有源层上的u‑GaN层和Al1‑yGayN层；或者，所述第一子层包括u‑GaN/Al1‑yGayN超晶格，0<y<1；所述第二子层包括依次设置在所述第一子层上的InxGa1‑xN层、SiN层和AlaInbGa1‑a‑bN层；或者，所述第二子层包括N个由InxGa1‑xN层和AlaInbGa1‑a‑bN层构成的周期性结构以及M个设于所述InxGa1‑xN层和所述AlaInbGa1‑a‑bN层之间的SiN层，相邻设置的所述InxGa1‑xN层和所述AlaInbGa1‑a‑bN层之间只设有一个所述SiN层，所述N为整数，且2≤N，所述M为整数，且1≤M≤2N‑1，0<X＜1，0<a<1，0<a+b<1。