[发明专利]压电陶瓷、制造压电陶瓷的方法、压电元件和电子装置在审
申请号: | 201510044767.9 | 申请日: | 2015-01-29 |
公开(公告)号: | CN104803676A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 林润平;渡边隆之;上林彰;武田宪一 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622;H01L41/187;H01L41/43 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本申请涉及压电陶瓷、制造压电陶瓷的方法、压电元件和电子装置。压电陶瓷包括含有钛酸钡的钙钛矿型金属氧化物和Mn。当压电陶瓷的沿着剩余极化的方向的表面在室温中受到X射线衍射分析时,(002)面的衍射强度与(200)面的衍射强度的比值为1.0或更大,(002)面的衍射峰具有1.2°或更小的半宽度,并且压电陶瓷的c轴的晶格常数c及其a轴的晶格常数a满足关系:1.004≤c/a≤1.010。 | ||
搜索关键词: | 压电 陶瓷 制造 方法 元件 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种具有剩余极化的压电陶瓷,其特征在于,包括:钙钛矿型金属氧化物,含有钛酸钡;以及Mn,其中,当所述压电陶瓷的沿着剩余极化的方向的表面为在室温中受到X射线衍射分析的测量表面时,测量表面的(002)面的衍射强度与测量表面的(200)面的衍射强度的比值为1.0或更大,(002)面的衍射峰具有1.2°或更小的半宽度,并且压电陶瓷的c轴的晶格常数c及其a轴的晶格常数a满足关系1.004≤c/a≤1.010。
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