[发明专利]芯片厚度减薄至60～100μm的方法

摘要

芯片厚度减薄至60～100μm的方法，涉及微电子器个制造领域，解决现有芯片减薄方法存在高碎片率，不易量产的问题，采用减薄机细磨单元为30000目磨轮对芯片进行磨削，设定芯片初始厚度为Hμm，第一刀切割后芯片厚度为H-30μm，第二刀切割后芯片厚度为H-100μm，对第二刀切割后的芯片进行光磨，获得厚度为100μm的芯片。对减薄后的芯片进行腐蚀，设定腐蚀时间为35～40秒，腐蚀转速650～750，间隔2秒后，继续腐蚀，设定腐蚀时间20～30秒，腐蚀转速350～450，进行冲水，时间为10～20秒，最后吹N2气，时间为5～15秒，取出减薄后的芯片；本发明方法降低设备购置花费，工艺简单。

主权项

芯片厚度减薄至60～100μm的方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：步骤一、将芯片厚度减薄到100μm；具体过程为：采用减薄机细磨单元为30000目磨轮对芯片进行磨削，设定芯片初始厚度为Hμm，第一刀切割后的芯片厚度为H‑30μm，第二刀切割后的芯片厚度为H‑100μm，然后对所述第二刀切割后的芯片进行光磨，获得厚度为100μm的芯片；步骤二、将步骤一中减薄后的芯片通过背面轨道式腐蚀机腐蚀到60μm；获得超薄化后的芯片；具体过程为：对步骤一中减薄后的芯片进行腐蚀，设定腐蚀时间为35～40秒，腐蚀转速650～750，间隔2秒后，继续腐蚀，设定腐蚀时间20～30秒，腐蚀转速350～450，然后进行冲水，时间为10～20秒，最后吹N2气，时间为5～15秒，取出减薄后的芯片。