[发明专利]芯片厚度减薄的方法

摘要

芯片厚度减薄的方法，涉及微电子芯片生产制造领域，解决现有芯片减薄方法存在碎片率高且不易量产的问题，采用DFG821型号的减薄机对芯片进行减薄，所述减薄机的Z2单元使用2000目磨轮，将芯片减薄至150μm；设定芯片初始厚度为Hμm，第一刀切割后芯片厚度为H‑60μm，第二刀切割后芯片厚度为H‑90μm，然后对第二刀切割后的芯片进行光磨，获得厚度为150μm的芯片；对减薄的芯片进行粘贴衬片，并将粘贴衬片的芯片进行腐蚀，获得减薄后厚度为60μm至100μm的芯片；本发明方法同时适用于减薄到任意厚度，最终厚度可通过粘贴衬片方式腐蚀实现。

主权项

芯片厚度减薄的方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：步骤一、采用DFG821型号的减薄机的细磨单元对芯片进行减薄，使芯片厚度减薄至150μm；设定芯片初始厚度为Hμm，第一刀切割后芯片厚度为H‑60μm，第二刀切割后芯片厚度为H‑90μm，然后对所述第二刀切割后的芯片进行光磨，获得厚度为150μm的芯片；步骤二、对步骤一中减薄的芯片进行粘贴衬片，并将粘贴衬片的芯片进行腐蚀，获得减薄后厚度为60μm至100μm的芯片；具体过程为：在减薄后的芯片表面粘贴衬片，在所述衬片的背面中心区域蘸水，将衬片与芯片贴合后作为样片，采用背面轨道式腐蚀机对所述样片进行腐蚀，获得减薄后的芯片；在步骤二之后还包括揭衬片的步骤，将腐蚀后的芯片放在真空吸盘上，将刀片插入芯片与衬片间的缝隙，刀片绕样片一圈后芯片与衬片分离，采用镊子夹出减薄后的芯片。