[发明专利]一种提高半导体激光器可靠性的制备方法

摘要

一种提高半导体激光器可靠性的制备方法，采用一次刻蚀同时去除半导体激光器脊形台面以外的欧姆接触层，并引入非注入区窗口结构。本发明基于P电极与芯片外延层的肖特基接触原理，通过一次刻蚀工艺同时去除脊形台面以外的欧姆接触层和去除腔面处的欧姆接触层引入非注入区窗口结构，形成肖特基接触层，达到防止激光器中双沟区两侧漏电、提器件可靠性以及提高COD阈值的目的。本发明只采用一次光刻工艺，制备工艺简单，适用范围广泛且兼容性强，可以与其它特殊工艺相结合，以进一步提高半导体激光器的性能。

主权项

1.一种提高半导体激光器可靠性的制备方法，其特征在于，采用一次刻蚀同时去除半导体激光器脊形台面以外的欧姆接触层，并引入非注入区窗口结构；所述提高半导体激光器可靠性的制备方法包括具体步骤如下：(1)在衬底上依次生长N型下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源区、上波导层、P型上限制层和欧姆接触层，形成半导体外延片；所述欧姆接触层为GaAs层；(2)在所述外延片上光刻出周期性排布的长方形图形，去除掉长方形图形以外的欧姆接触层，暴露出P型上限制层；(3)在欧姆接触层上光刻双沟脊波导图形，制备脊形台面；(4)在外延片表面上淀积电绝缘介质层；(5)腐蚀去除对应于脊形台面上的电绝缘介质层，露出脊形台面；(6)在所述脊形台面和电绝缘介质层上制备P面电极；(7)对衬底进行减薄抛光后在其上制备N面电极，即制作成激光器芯片；将制作完成的激光器芯片，沿非注入区窗口区的中间位置解离，形成Bar条，之后再镀膜、解离成管芯，这样便在半导体激光器的腔面形成了非注入区窗口结构。