[发明专利]基板处理装置、加热装置、顶壁隔热体及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510047667.1 | 申请日： | 2015-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN104835758B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 小杉哲也;竹胁基哉;上野正昭;村田等 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够使基板的面内温度均匀性提高的基板处理装置、加热装置、顶壁隔热体及半导体器件的制造方法。具有收纳基板的反应容器(203)及加热装置(206)，该加热装置具有设于所述反应容器的外周的侧壁隔热体(250)、设于所述侧壁隔热体的上部的顶壁隔热体(252)、设于所述侧壁隔热体的内壁上的发热体(208)、和设于所述反应容器与所述侧壁隔热体之间的冷却气体的流路(256)，所述顶壁隔热体在其内部设有供所述冷却气体通过的气道(260)，所述顶壁隔热体的实心截面积形成为与所述顶壁隔热体的中心侧相比周缘侧较小。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 加热 隔热 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种顶壁隔热体，设于处理基板的基板处理装置中所使用的加热装置的侧壁隔热体的上部，其特征在于，所述顶壁隔热体以具有使其实心截面积形成为与中心侧相比外缘侧较小的部分的方式，在内部设有供冷却气体通过的气道，而且，所述顶壁隔热体具有上部隔热件和下部隔热件，在所述上部隔热件及所述下部隔热件中的至少一方，形成有在俯视观察下配置在与所述基板相比为外侧的位置、且以所述顶壁隔热体的中央部为中心的圆弧状的凹部，所述凹部构成所述气道的一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立国际电气，未经株式会社日立国际电气许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510047667.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：用于监控制造太阳能电池的工艺的装置和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
