[发明专利]无需光刻胶的带电粒子束图案化

摘要

本发明提供了用于制造集成电路的工艺。该工艺包括：提供衬底，通过原子层沉积和分子层沉积的一种沉积在衬底上形成硬掩模，以及将硬掩模暴露于来自一种或多种带电粒子束的带电粒子以在硬掩模中图案化间隙。可选地，该工艺包括将硬掩模暴露于来自一种或多种带电粒子束的带电粒子以在硬掩模上图案化结构。

主权项

1.一种制造集成电路的工艺，包括：提供衬底；通过原子层沉积和分子层沉积的一种在所述衬底上形成硬掩模；提供前体气体，使所述前体气体至少在所述硬掩模上方流动；以及将所述硬掩模暴露于来自一种或多种带电粒子束的带电粒子以在所述硬掩模中图案化间隙，其中，来自所述一种或多种带电粒子束的带电粒子遇到来自所述前体气体的已经吸附到所述硬掩模上的分子，在所述一种或多种带电粒子束的影响下，所述前体气体的分子解离为挥发性组分和非挥发性组分，所述挥发性组分仅局部蚀刻位于经受带电粒子的区域处或所述区域周围的硬掩模。