[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510048182.4 | 申请日： | 2015-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105990421A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 李伟;郝龙;金炎;王德进 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括步骤：提供包括低压器件区域和高压器件区域的半导体基底；在高压器件区域的非栅极区域和低压器件区域形成第一栅氧化层并在高压器件区域的栅极区域形成第二栅氧化层；第二栅氧化层的厚度大于第一栅氧化层的厚度；在低压器件区域的第一栅氧化层的表面形成第一多晶硅栅以及第一侧墙结构并在第二栅氧化层的表面形成第二多晶硅栅以及第二侧墙结构；第二栅氧化层的宽度大于第二多晶硅栅的宽度；进行源漏极离子注入形成源漏极引出区；淀积金属硅化物阻挡层后进行光刻腐蚀并形成金属硅化物。上述半导体器件的制备方法简化了工艺步骤的同时也降低了工艺成本。还涉及一种半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括步骤：提供包括低压器件区域和高压器件区域的半导体基底；在所述高压器件区域的非栅极区域和所述低压器件区域形成第一栅氧化层并在所述高压器件区域的栅极区域形成第二栅氧化层；所述第二栅氧化层的厚度大于所述第一栅氧化层的厚度；在所述低压器件区域的第一栅氧化层的表面形成第一多晶硅栅以及第一侧墙结构并在所述第二栅氧化层的表面形成第二多晶硅栅以及第二侧墙结构；所述第二栅氧化层的宽度大于所述第二多晶硅栅的宽度；进行源漏极离子注入形成源漏极引出区；淀积金属硅化物阻挡层后进行光刻腐蚀并形成金属硅化物。
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