[发明专利]隔离型NLDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510048207.0 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104617149B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 段文婷;钱文生;刘冬华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种隔离型NLDMOS器件，在P型硅衬底上形成有两个独立的N型深阱；左N型深阱左部形成有一P阱；P阱左部形成有一P型重掺杂区及一源端N型重掺杂区；P阱右部上方及左N型深阱右部上方形成有栅氧化层；左N型深阱同右N型深阱之间的P型硅衬底上方及右N型深阱左部上方形成有场氧；右N型深阱右部形成有一漏端N型重掺杂区；场氧左部上方及栅氧化层上方形成有栅极多晶硅；场氧下方的P型硅衬底及右N型深阱中形成有漂移P型注入区，漂移P型注入区右部为分段间隔状。本发明还公开了该隔离型NLDMOS器件的制造方法。本发明，能在保证隔离型NLDMOS器件击穿电压不降低的同时使得器件导通电阻降低。 1 | ||
| 搜索关键词： | 隔离型 右部 左部 场氧 衬底 漂移 栅氧化层 栅极多晶硅 导通电阻 击穿电压 间隔状 漏端 源端 分段 制造 保证 | ||
【主权项】：
1.一种隔离型NLDMOS器件，其特征在于，在P型硅衬底上形成有左N型深阱、右N型深阱两个独立的N型深阱；所述左N型深阱，左部形成有一P阱；所述P阱，左部形成有一P型重掺杂区及一源端N型重掺杂区；所述P阱右部上方及所述左N型深阱右部上方，形成有栅氧化层；所述左N型深阱同所述右N型深阱之间的P型硅衬底上方，及所述右N型深阱左部上方，形成有场氧；所述右N型深阱，右部形成有一漏端N型重掺杂区；所述场氧左部上方及所述栅氧化层上方，形成有栅极多晶硅；所述场氧下方的P型硅衬底及右N型深阱中，形成有漂移P型注入区；所述漂移P型注入区，右部为分段间隔状，左部不分割；所述漂移P型注入区右部，为漂移P型注入区的1/2到2/3。
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