[发明专利]隔离型NLDMOS器件有效
| 申请号： | 201510048208.5 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104638013B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 段文婷;刘冬华;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种隔离型NLDMOS器件，终端位于元胞区的上端及下端；元胞区，在P型硅衬底上形成有两个独立的N型深阱；左N型深阱同右N型深阱之间的P型硅衬底上方，及右N型深阱左部上方，形成有场氧；场氧下方的P型硅衬底及右N型深阱中，形成有漂移P型注入区；左N型深阱、右N型深阱、场氧、漂移P型注入区，向上下两端延伸至终端；终端，其中的右N型深阱的左侧右移，其中的漂移P型注入区的左侧右移，并且漂移P型注入区整体都在右N型深阱内部；在元胞区同终端之间的过渡区，右N型深阱的左侧位置为缓变过渡，漂移P型注入区的左侧位置为缓变过渡。本发明的隔离型NLDMOS器件,能在提高电流驱动能力的同时，提高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 nldmos 器件 | ||
【主权项】：
一种隔离型NLDMOS器件，其特征在于，终端位于元胞区的上端及下端；所述元胞区，在P型硅衬底上形成有左N型深阱、右N型深阱两个独立的N型深阱；所述左N型深阱，左部形成有一P阱；所述P阱，左部形成有一P型重掺杂区及一源端N型重掺杂区；所述P阱右部上方及所述左N型深阱右部上方，形成有栅氧化层；所述左N型深阱同所述右N型深阱之间的P型硅衬底上方，及所述右N型深阱左部上方，形成有场氧；所述右N型深阱，右部形成有一漏端N型重掺杂区；所述场氧左部上方及所述栅氧化层上方，形成有栅极多晶硅；所述场氧下方的P型硅衬底及右N型深阱中，形成有漂移P型注入区；所述左N型深阱、右N型深阱、P阱、栅氧化层、场氧、漏端N型重掺杂区、栅极多晶硅、漂移P型注入区，向上下两端延伸至终端；所述终端，其中的右N型深阱的左侧右移，其中的漂移P型注入区的左侧右移，并且漂移P型注入区整体都在右N型深阱内部；在元胞区同终端之间的过渡区，右N型深阱的左侧位置为缓变过渡，漂移P型注入区的左侧位置为缓变过渡。
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