[发明专利]CIS产品TSV孔底部PAD表面绝缘层的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201510048223.X | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104600026A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 冯光建;张文奇 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种CIS产品TSV孔底部PAD表面绝缘层的刻蚀方法，其包括以下步骤：（1）、晶圆背部TSV孔刻蚀前，先沉积一层第一绝缘层；（2）、然后继续TSV孔的光刻和干法刻蚀工艺，刻出TSV孔；（3）、沉积TSV孔工艺后续第二绝缘层；（4）、对晶圆背整面进行干法刻蚀，直到将TSV孔底部PAD上面的绝缘层刻蚀完全。本发明的优点在于第一次沉积的第一绝缘层可以为后续的PAD上面的第二绝缘层去除做阻挡层，在后续的对PAD表面第二绝缘层进行过蚀刻时不用担心晶圆背表面第一绝缘层被破坏，省去了工艺难度较高的光刻工艺，节省了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | cis 产品 tsv 底部 pad 表面 绝缘 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种CIS产品TSV孔底部PAD表面绝缘层的刻蚀方法，其特征在于：其包括以下步骤：（1）、在晶圆背表面沉积第一绝缘层；（2）、通过黄光和蚀刻工艺刻蚀出TSV孔；（3）、在TSV孔内和第一上沉积第二绝缘层；（4）、对开TSV孔的一面进行整面刻蚀，将孔内PAD上面绝缘层去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
