[发明专利]通过喷射沉积与近熔点压制致密化制备高硅铝合金电子封装材料的方法在审
| 申请号： | 201510048227.8 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN105986132A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 王日初;邓宏贵;刘继嘉 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C22C1/00 | 分类号： | C22C1/00;C22C21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410083 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明设计一种通过喷射沉积与近熔点压制致密化制备高硅铝合金电子封装材料的方法，其主要步骤为：先将硅铝材料按比例配料，其中硅原料的质量百分比为30％～50％，其余为工业纯铝；将混合后的材料放入中频感应炉内加热、搅拌，并进行覆盖造渣与除气处理，采用喷射沉积将金属熔液制成坯体；对坯体进行预处理；对预处理后的合金材料进行近熔点压制致密化处理，脱模水冷后即得到性能优异的高硅铝合金电子封装材料。本发明突出采用通过喷射沉积与近熔点压制致密化方法制备高硅铝合金，工艺简单、设备要求较低、能耗小，所制得合金材料力学性能、热膨胀系数、热导率、气密性都达到了电子封装材料的使用要求，综合性能优异，完全适用于现代电子封装领域。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 喷射 沉积 熔点 压制 致密 制备 铝合金 电子 封装 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种通过喷射沉积与近熔点压制致密化制备高硅铝合金电子封装材料的方法，包括以下步骤：1)将硅铝材料按比例配料；2)将上述材料在中频感应炉内熔炼，喷射沉积得到高硅铝合金坯体；3)将坯体进行初加工。4)将坯体进行近熔点压制致密化处理，得到性能优异的高硅铝合金电子封装材料。
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