[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510050184.7 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104821292B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 吉田拓弥;高野和丰 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明得到一种半导体装置的制造方法，其能够减少由来自切割区域侧的削片、裂纹引起的耐压劣化不良，能够无需在在线检查之后，将测定用电极蚀刻去除。将半导体装置(2)的P型基极层(5)和在线检查用监视器(15)的P型层(16)同时地形成。在P型基极层(5)以及P型层(16)上同时形成铝层(11)。在P型层(16)上，将铝层(11)的至少一部分去除。在切割半导体晶片(1)时，在P型层(16)上，利用切割刀片(20)将去除了铝层11的部分切断。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：形成半导体晶片的工序，该半导体晶片具有：多个半导体装置，它们隔着切割区域而配置；以及在线检查用监视器，其配置在所述切割区域内；在形成所述半导体晶片之后，利用所述在线检查用监视器进行所述半导体装置的在线检查的工序；以及在所述在线检查之后，沿着所述切割区域对所述半导体晶片进行切割，将所述多个半导体装置逐个地分离的工序，形成所述半导体晶片的工序具有：将所述半导体装置的第1扩散层和所述在线检查用监视器的第2扩散层同时地形成的工序；在所述第1扩散层及第2扩散层上同时地形成金属层的工序；以及将所述第2扩散层上的所述金属层的至少一部分去除的工序，在切割所述半导体晶片时，在所述第2扩散层上，利用切割刀片将去除了所述金属层的部分切断。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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