[发明专利]一种化合物半导体器件的去嵌入方法在审
| 申请号： | 201510050561.7 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104635135A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;刘桂明;常虎东;周佳辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L23/544 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种化合物半导体器件的去嵌入方法，属于微电子集成电路技术领域。该方法包括：分析化合物半导体器件的在片测试结构，确定化合物半导体器件产生的寄生效应；以及根据产生的寄生效应，从外至内逐级去除寄生效应。本发明提供合理分析了在片测试的版图结构，具有实际物理意义，完整地地表征和去除了可能的寄生影响；改进了传统去嵌方法的缺点，提高了去嵌入带宽，保证了更高频范围的去嵌精确度和高频器件模型和电路应用的有效性。另外，本发明从物理来源上充分考虑和表征所有可能的寄生效应，提高了去嵌入的精度和带宽，具有实际的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体器件 嵌入 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件的去嵌入方法，其特征在于，包括：分析化合物半导体器件的在片测试结构，确定化合物半导体器件产生的寄生效应；以及根据产生的寄生效应，从外至内逐级去除寄生效应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510050561.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种挖掘机斗齿的更换装置
- 下一篇：汽车滚装船绑扎眼环装配装置
