[发明专利]一种清除III族混晶氮化物沉积物的回收装置及方法有效
申请号: | 201510050675.1 | 申请日: | 2015-01-31 |
公开(公告)号: | CN105990182B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 刘南柳;李春霞;赵红军;张国义 | 申请(专利权)人: | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 523518 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种清除HVPE设备中III族混晶氮化物沉积物的回收装置及方法。本发明设计包括了主槽、防壁流挡圈、导流槽及收集器的III族混晶氮化物沉积物的回收装置,并利用腐蚀性气体在高温下对其具有腐蚀分解作用,有效地回收高温分解后的液态氮化物,解决反应腔体中直管与弯管之间严重堵塞及其高温分解产物的无定向流动等问题。本发明装置及方法,其结构合理紧凑、操作简便,能更好地保证被分解的混晶III族氮化物液体流聚到指定区域,便于收集清理,防止腔室的堵塞与污染,增加HVPE设备的使用寿命,极具实用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 清除 iii 族混晶 氮化物 沉积物 回收 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种清除III族混晶氮化物沉积物的回收装置,其特征在于,所述装置包括:主槽、固定设置在主槽中的导流槽和设置在主槽上方的防壁流挡圈、及与导流槽连接的收集器;在900℃‑1500℃温度条件下,利用对包括III族混晶氮化物的固态副产物具有腐蚀分解作用的气体,该气体为H2、HCl以及NH3,或其中两种或多种气体的混合物,把沉积在HVPE反应腔体内的包括III族混晶氮化物的固态副产物进行高温分解,最终形成液态产物,并通过该装置进行回收再利用;所述主槽的槽体横截面光滑,具有向导流槽方向倾斜的凹槽,且凹槽开口呈倒锥型;所述导流槽为光滑管道,并与凹槽的倒锥型开口面形成弯曲弧度为3°~45°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造