[发明专利]IGBT元胞结构及其制造工艺在审
| 申请号： | 201510051177.9 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN105990407A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 张志娟;郝建勇;周炳 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 鞠明 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种IGBT元胞结构，IGBT元胞结构的多晶硅孔为八边形。本发明IGBT元胞结构及其制造工艺，(1)IGBT有源区元胞也就是多晶硅孔，类似八边形，但较八边形形状平滑。此形状结合整个IGBT元胞结构，较现有的六边形、长条形、方形元胞结构，具有电流密度大，通态压降低，工艺制作简单等优点，(2)本发明能够较好的折中导通损耗和开关损耗之间的关系。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 结构 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种IGBT元胞结构，其特征是：所述IGBT元胞结构的多晶硅孔(11)为八边形。
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