[发明专利]一种中温区具有优异热电性能的碲化铋材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510051468.8 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104555950B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 史迅;郝峰;陈立东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人： | 曹芳玲,郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种中温区具有优异热电性能的碲化铋材料及其制备方法，所述碲化铋材料的组成通式为CuxBi0.3Sb1.7‑xTe3，其中0.005≤x≤0.02。本发明中碲化铋材料通过自掺杂及Cu掺杂有效提高了材料的载流子浓度，使得材料电性能得到显著优化，同时本征激发受到抑制。优化后的材料在550K附近温区的热电性能得到大幅提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中温区 具有 优异 热电 性能 碲化铋 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碲化铋材料的制备方法，其特征在于，所述碲化铋材料的组成通式为CuxBi0.3Sb1.7‑xTe3，其中0.005≤x≤0.02，所述方法包括：1）按化学计量比称取所述碲化铋材料组成元素的单质，混合后在真空或惰性气氛下进行封装；2）将封装的上述单质先在1000‑1150℃下熔融处理，然后淬火并在350‑450℃退火处理，再将上述单质经熔融、退火处理形成的物质研磨成粉体，在400‑450℃、50‑65MPa下加压烧结，得到所述碲化铋材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510051468.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光纤冷却管用氦气循环再利用方法及其设备
- 下一篇：制氧机
