[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供包括并列排列第一区域和第二区域的半导体衬底，第一区域和第二区域分别用以形成第一器件和逻辑晶体管；在第一区域上形成第一栅极层，并在第一栅极层上形成第一绝缘层；于第一栅极层上形成第一半导体层，在第二区域的半导体衬底上形成第二半导体层后，通过旋涂方式形成抗反射层，其中，位于第一半导体层上的抗反射层厚度小于第二半导体层上的抗反射层厚度；再刻蚀抗反射层、第一半导体层和第二半导体层，在第一半导体层中形成露出第一绝缘层的通孔，并在第二区域上形成逻辑栅极层；此后，再去除通孔底部的第一绝缘层，露出第一栅极层。采用上述技术方案可提高后续形成的半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括并列排列的第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成第一器件，所述第二区域用于形成逻辑晶体管，所述第一器件的阈值电压大于所述逻辑晶体管的阈值电压；在所述第一区域上形成第一栅极层；在第一栅极层上覆盖第一绝缘层；在所述第一栅极层上的第一绝缘层上形成第一半导体层，在所述第二区域的半导体衬底上形成第二半导体层；通过旋涂方式形成抗反射层，位于第一半导体层上的抗反射层厚度小于所述第二半导体层上抗反射层的厚度；刻蚀抗反射层、第一半导体层和第二半导体层，在所述第一半导体层中形成露出所述第一绝缘层的通孔，并在所述第二区域上形成逻辑栅极层；去除所述通孔底部的第一绝缘层，露出所述第一栅极层。