[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510051480.9 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN105990341B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构；形成第一伪栅结构，所述第一伪栅结构包括第一栅介质层、位于第一栅介质层表面的盖帽层、位于第一盖帽层表面的伪栅极，所述第一伪栅结构部分位于浅沟槽隔离结构表面，部分位于半导体衬底表面，所述第一盖帽层的材料包括掺硅氮化钛。上述方法可以提高所述半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构；形成第一伪栅结构，所述第一伪栅结构包括第一栅介质层、位于第一栅介质层表面的第一盖帽层、位于第一盖帽层表面的第一伪栅极，所述第一伪栅结构部分位于浅沟槽隔离结构表面，部分位于半导体衬底表面，所述第一盖帽层的材料包括掺硅氮化钛，所述第一盖帽层包括掺硅氮化钛层和位于掺硅氮化钛层表面的氮化钛层，所述掺硅氮化钛层和所述氮化钛层的厚度相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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