[发明专利]功率半导体组件在审
| 申请号： | 201510051520.X | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN104821282A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 元胁成久;宝藏寺裕之;守田俊章;绀野哲丰 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立功率半导体 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供功率半导体组件，其能够对晶体管元件的高发热部分进行高效冷却，布线接合部的连接可靠性优秀，其特征在于包括：散热板(1)；通过接合材料与散热板(1)连接的在绝缘基板(2)的正面形成有布线的电路基板；晶体管元件(5)，具有形成在一方的面的主电极(6)和控制电极(7)、和形成在另一方的面的背面电极，背面电极通过接合材料与电路基板连接；通过接合材料与主电极(6)接合的第一导电部件(10)；和使第一导电部件(10)和控制电极(7)与其他元件或电路基板电连接的导线或带状的连接端子(11、12)，控制电极(7)配置在主电极(6)的角部，第一导电部件(10)是将控制电极(7)之上的部分切掉的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 组件 | ||
【主权项】：
一种功率半导体组件，其特征在于，包括：散热板；通过接合材料与所述散热板连接的、在绝缘基板的正面形成有布线的电路基板；晶体管元件，具有形成在一方的面的主电极和控制电极，和形成在另一方的面的背面电极，所述背面电极通过接合材料与所述电路基板连接；通过接合材料与所述主电极接合的第一导电部件；和使所述第一导电部件和所述控制电极与其他元件或电路基板电连接的导线或带状的连接端子，所述控制电极配置在所述主电极的角部，所述第一导电部件是将所述控制电极之上的部分切掉的形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
