[发明专利]晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201510051594.3 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN105990140A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 赵杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成伪栅膜；对所述伪栅膜的表面进行离子掺杂，使所述伪栅极表面的部分区域形成改性层；在形成改性层之后，刻蚀所述伪栅膜直至暴露出衬底表面为止，在衬底表面形成伪栅层，所述伪栅层表面具有改性层；在所述伪栅层和改性层的侧壁表面形成第一侧墙；在所述第一侧墙和伪栅层两侧的衬底内形成源区和漏区；在形成源区和漏区之后，在所述衬底、源区、漏区和伪栅层表面形成介质膜；对所述介质膜进行平坦化工艺，直至暴露出所述伪栅层，形成介质层，所述平坦化工艺对介质膜的平坦化速率低于对改性层的平坦化速率，所述介质层的表面高于所述伪栅层的表面。所形成的晶体管形貌良好、尺寸精确、性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成伪栅膜；对所述伪栅膜的表面进行离子掺杂，使所述伪栅极表面的部分区域形成改性层；在形成改性层之后，刻蚀所述伪栅膜直至暴露出衬底表面为止，在衬底表面形成伪栅层，所述伪栅层表面具有改性层；在所述伪栅层和改性层的侧壁表面形成第一侧墙；在所述第一侧墙和伪栅层两侧的衬底内形成源区和漏区；在形成源区和漏区之后，在所述衬底、源区、漏区和伪栅层表面形成介质膜；对所述介质膜进行平坦化工艺，直至暴露出所述伪栅层，形成介质层，所述平坦化工艺对介质膜的平坦化速率低于对改性层的平坦化速率，所述介质层的表面高于所述伪栅层的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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