[发明专利]晶体管及其形成方法

摘要

一种晶体管及其形成方法，晶体管包括：提供表面具有伪栅膜的衬底；刻蚀部分厚度的伪栅膜；刻蚀部分厚度的伪栅膜，形成第二初始伪栅层以及位于第二初始伪栅层表面的若干第一初始伪栅层，相邻第二初始伪栅层之间形成第一开口；对第一初始伪栅层的侧壁和位于第一开口底部的第二初始伪栅层进行氧化，在第一初始伪栅层的侧壁表面形成第一氧化层，使第一开口底部的第二初始伪栅层形成第二氧化层，剩余的第二初始伪栅层和第一初始伪栅层形成伪栅极，伪栅极的底部尺寸大于顶部尺寸；在衬底表面形成介质层，介质层暴露出伪栅极的顶部表面；去除伪栅极，在介质层内形成第二开口；在第二开口内形成栅极结构。所形成的晶体管性能改善。

主权项

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有伪栅膜；刻蚀部分厚度的伪栅膜，形成第二初始伪栅层以及位于第二初始伪栅层表面的若干第一初始伪栅层，相邻第一初始伪栅层之间形成第一开口；对所述第一初始伪栅层的侧壁和位于第一开口底部的第二初始伪栅层进行氧化，在第一初始伪栅层的侧壁表面形成第一氧化层，使第一开口底部的第二初始伪栅层形成第二氧化层，未被氧化的第二初始伪栅层和第一初始伪栅层形成伪栅极，所述伪栅极的底部尺寸大于顶部尺寸；在所述伪栅极的侧壁形成侧墙；在所述伪栅极和侧墙两侧的衬底内形成源区和漏区；在所述衬底表面形成介质层，所述介质层暴露出所述伪栅极的顶部表面；去除所述伪栅极，在所述介质层内形成第二开口；在所述第二开口内形成栅极结构，所述栅极结构包括位于第二开口侧壁和底部表面的栅介质层、以及位于栅介质层表面且填充满第二开口的栅极层。