[发明专利]半导体器件的清洗方法在审
| 申请号： | 201510051612.8 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN105990219A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 胡平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的清洗方法，包括：在对铜层进行CMP研磨后，对研磨后的铜层进行氧化处理；之后再采用酸性清洗剂清洗或是采用碱性清洗剂清洗，对氧化后的铜层进行第一清洗。在对研磨后的铜层进行氧化处理后，使CMP工艺中形成的研磨副产物与氧气反应形成氧化物，从而促使被氧化的研磨副产物与清洗剂反应，从而提高研磨副产物的去除效率；此外，在所述氧化处理步骤中，铜层表面同样被氧化，在所述铜层形成氧化铜层在所述第一清洗步骤中，所述氧化铜层被清除，致使附着于所述氧化层上的研磨副产物由所述半导体晶圆上剥落，提高研磨副产物的去除效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的清洗方法，其特征在于，包括：提供半导体晶圆；在所述半导体晶圆上形成铜层；以化学机械研磨工艺研磨所述铜层；对研磨后的铜层表面进行氧化处理；对氧化处理后的铜层进行第一清洗，所述第一清洗为采用酸性清洗剂的清洗或是采用碱性清洗剂的清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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