[发明专利]反相器电路、输出稳定的动态比较器及比较方法有效

专利信息
申请号: 201510051785.X 申请日: 2015-01-30
公开(公告)号: CN105991125B 公开(公告)日: 2019-04-26
发明(设计)人: 刘飞;唐华;荀本鹏;杨海峰 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H03K19/094 分类号: H03K19/094;H03K5/22
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 潘彦君;骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种反相器电路、输出稳定的动态比较器及比较方法,其中一所述反相器电路包括:第一反相单元、第二反相单元以及NMOS管;所述第一反相单元的输入端适于接输入信号,作为所述反相器电路的输入端;所述第一反相单元的输出端连接至所述NMOS管的漏极,作为所述反相器电路的输出端;所述第二反相单元的输入端连接至所述NMOS管的漏极;所述第二反相单元的输出端连接至所述NMOS管的栅极;所述第一反相单元、第二反相单元均采用第一电压、第二电压进行供电,所述第二电压值小于所述第一电压值;所述NMOS管的源极适于接入所述第二电压。所述反相器电路翻转阈值低,而反相器电路的功耗和工作速度不受影响。
搜索关键词: 反相器 电路 输出 稳定 动态 比较 方法
【主权项】:
1.一种动态比较器,其特征在于,包括:反相器电路和动态比较单元;所述反相器电路包括:第一反相单元、第二反相单元以及NMOS管;所述第一反相单元的输入端适于接输入信号,作为所述反相器电路的输入端;所述第一反相单元的输出端连接至所述NMOS管的漏极,作为所述反相器电路的输出端;所述第二反相单元的输入端连接至所述NMOS管的漏极;所述第二反相单元的输出端连接至所述NMOS管的栅极;所述第一反相单元、第二反相单元均采用第一电压、第二电压进行供电,所述第二电压值小于所述第一电压值;所述NMOS管的源极适于接入所述第二电压;所述反相器电路的输入端连接至所述动态比较器的输出端,所述反相器电路的输出端作为所述动态比较器的输出端;所述动态比较单元包括:第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管以及第五PMOS管;所述第二NMOS管源极适于接第二电压,栅极适于接控制信号,所述第二NMOS管漏极与所述第三NMOS管的源极以及所述第四NMOS管NM4的源极相连接;所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的衬底相连接,适于连接所述第一电压,所述第三NMOS管栅极适于连接至第一输入电压,所述第四NMOS管的栅极适于连接至第二输入电压;所述第三NMOS管的漏极与所述第五NMOS管的源极相连接,所述第四NMOS管的漏极与所述第六NMOS管的源极相连接;所述第五NMOS管的衬底以及所述第六NMOS管的衬底适于连接至第三电压,所述第五NMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极相连接,所述第五NMOS管的漏极与所述第三PMOS管以及所述第二PMOS管的漏极相连接,所述第六NMOS管的栅极与所述第四PMOS的栅极相连接,所述第六NMOS管的漏极与所述第四PMOS的漏极以及所述第五PMOS管的漏极相连接;所述第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极以及第五PMOS管的源极相连接,适于共同连接至所述第一电压;所述第二PMOS管的栅极以及第五PMOS管的栅极适于连接至所述控制信号;所述第五PMOS管的漏极、第四PMOS管的漏极、第六NMOS管的漏极、第三PMOS管的栅极以及第五NMOS管的栅极相连接,作为所述动态比较器的第二输出端;所述第二PMOS管的漏极、第三PMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极、第四PMOS管的栅极以及第六NMOS管的栅极相连接,作为所述动态比较器的第一输出端。
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