[发明专利]氮化钽的刻蚀方法无效
| 申请号： | 201510052254.2 | 申请日： | 2015-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN104671196A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 张振兴;奚裴;熊磊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化钽的刻蚀方法，在以图案化的光刻胶层为掩膜，对所述氮化硅层进行部分刻蚀的步骤后添加了对所述氮化硅层表面的光刻胶层进行灰化工艺的步骤，该步骤目的是去除光刻胶层，避免现有工艺中以光刻胶层为掩膜刻蚀氮化钽层时，光刻胶会与氮化钽反应生成难以去除的聚合物造成氮化钽层表面的粗糙的问题，从而提供了制造的MEMS传感器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化钽的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底表面依次形成有氮化钽层、氮化硅层及图案化的光刻胶层；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述氮化硅层进行部分刻蚀；部分刻蚀完成后，对所述氮化硅层表面的光刻胶层进行灰化工艺；对部分刻蚀后的所述氮化硅层进行刻蚀，并暴露出所述氮化硅层进行部分刻蚀后其下面的氮化钽层；以剩余的氮化硅层为硬掩膜，对暴露的氮化钽层进行部分刻蚀。
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