[发明专利]一种全局像元CMOS图像传感器系统架构及其信号传输方法有效
申请号: | 201510053205.0 | 申请日: | 2015-02-02 |
公开(公告)号: | CN104580952B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 李琛;任铮;段杰斌 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/232 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明揭示了一种全局像元CMOS图像传感器系统架构及其信号传输方法,该系统由M*N个5T全局像元组成的像素阵列区、第一5T全局像元尾电流模块、TG控制信号译码模块、RST控制信号译码模块、PR控制信号译码模块、RS控制信号译码模块、列级数据线译码模块、偏置和激励电压提供模块和输入输出接口组成;本发明通过TG控制信号、RST控制信号、PR控制信号、RS控制信号、PRECHARGE控制信号构成5T全局像元的工作时序的工作时序,实现了1080p(1920*1080=207万像素)超高清视频流下每秒钟60帧以上的数据流能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 全局 cmos 图像传感器 系统 架构 及其 信号 传输 方法 | ||
【主权项】:
一种全局像元CMOS图像传感器系统架构,其特征在于,包括:由M*N个5T全局像元组成的像素阵列区;其中,所述像元包括5个NMOS晶体管,即第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5和1个感光二极管;以及第一尾电流模块、TG控制信号译码模块、RST控制信号译码模块、PR控制信号译码模块、RS控制信号译码模块、列级数据线译码模块、偏置和激励电压提供模块和输入输出接口;其中,所述第一尾电流模块为所述列级数据线译码模块提供电流,PR控制信号、TG控制信号是全局信号,RST控制信号是行信号;所述像元的工作时序如下:(1)PR控制信号置高,所述第一晶体管M1导通,使得所述感光二极管的电位保持与所述第一晶体管M1的漏极VPR一致,进行复位;(2)RST控制信号置高,所述第三晶体管M3导通,使得FD点的电位保持与输入电压VDD一致,进行复位;所述FD点的电位为所述第二晶体管M2的漏极或所述第三晶体管M3的源极的电位;(3)所述PR控制信号与RST控制信号信号置低,曝光时间开始计时;(4)在曝光时间即将结束之前,所述RST控制信号置高,所述第三晶体管M3导通,使得FD点再次复位,为后续FD点存储所述感光二极管的信号做准备;(5)TG控制信号置高,所述第二晶体管M2导通,使得所述感光二极管的信号转移到FD点,然后TG控制信号置低,第二晶体管M2关闭,FD点存储所述感光二极管的信号;(6)RS控制信号置高,所述第五晶体管M5导通,使得FD点存储的感光二极管信号经过作为源跟随器的所述第四晶体管M4和作为开关功能的第五晶体管M5传出到所述列级数据线上。
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