[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510053292.X | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105984831B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 郑超;李卫刚;郭亮良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括：步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面上形成有MEMS器件；步骤S2：图案化所述MEMS晶圆的背面，以形成第一开口，露出所述MEMS器件；步骤S3：形成干膜，以填充所述第一开口并覆盖所述MEMS晶圆的背面；步骤S4：图案化所述MEMS晶圆背面上的所述干膜，以形成第二开口，露出所述MEMS晶圆和所述第一开口中的所述干膜；步骤S5：以所述干膜为掩膜蚀刻所述MEMS晶圆，以在所述MEMS晶圆中形成凹槽；步骤S6：去除剩余的干膜，以形成MEMS背孔。本发明的优点在于：1、改善了背孔的形貌。使得背孔的腔体体积可控。2、提高了产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面上形成有MEMS器件，所述MEMS器件为电容式MEMS器件；步骤S2：图案化所述MEMS晶圆的背面，以形成第一开口，露出所述MEMS器件；步骤S3：形成干膜，以填充所述第一开口并覆盖所述MEMS晶圆的背面；步骤S4：图案化所述MEMS晶圆背面上的所述干膜，以形成第二开口，露出所述MEMS晶圆和所述第一开口中的所述干膜，所述第一开口中的所述干膜保护所述第一开口；步骤S5：以所述干膜为掩膜蚀刻所述MEMS晶圆，以在所述MEMS晶圆中形成凹槽；步骤S6：去除剩余的干膜，以形成MEMS背孔。
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