[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510053554.2 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105990165B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;宣荣峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供第一基底，在所述第一基底表面形成第一焊垫；在所述第一焊垫侧壁表面形成第一侧墙；提供第二基底，在所述第二基底表面形成第二焊垫；在所述第二焊垫侧壁表面形成第二侧墙；在第二焊垫表面形成第三焊垫；将第二基底与第一基底进行键合，使第一焊垫、第三焊垫和第二焊垫形成共晶键合。上述方法可以提高形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一基底，在所述第一基底表面形成第一焊垫；在所述第一焊垫侧壁表面形成第一侧墙；提供第二基底，在所述第二基底表面形成第二焊垫；在所述第二焊垫侧壁表面形成第二侧墙；在第二焊垫表面形成第三焊垫，所述第二侧墙和第三焊垫同时形成，同时形成所述第二侧墙和第三焊垫的方法包括：在所述第二基底和第二焊垫表面形成第二侧墙材料层，所述第二侧墙材料层的材料能与第一焊垫、第二焊垫的材料形成共晶合金；在位于第二焊垫顶部的第二侧墙材料层表面形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀第二侧墙材料层，形成位于第二焊垫侧壁表面的第二侧墙以及位于第二焊垫表面的第三焊垫，然后去除所述掩膜层；将第二基底与第一基底进行键合，使第一焊垫、第三焊垫和第二焊垫形成共晶键合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510053554.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：葡萄防寒土清除机
- 下一篇：一种可控分根灌溉设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
