[发明专利]基于一维微纳结构/氮化镓薄膜肖特基结的紫外LED有效
申请号: | 201510053998.6 | 申请日: | 2015-02-02 |
公开(公告)号: | CN104638079B | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 杨青;吴远鹏;陶菲克·哈桑;刘旭 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于一维微纳结构/氮化镓薄膜肖特基结的紫外LED,包括阴极、阳极和连接阳极的有源发光体,还包括一微纳结构,所述微纳结构的一端与阴极相连,另一端与有源发光体接触形成肖特基结。本发明结构简单,成本低廉,发光波长短,波长不随电流升高变化,效率较高,可工作在连续电流或脉冲电流下使用微纳结构克服了传统肖特基结LED中出射光被金属电极吸收和散射的难题,在保证廉价制作成本的同时极大提高了器件的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 基于 一维微纳 结构 氮化 薄膜 肖特基结 紫外 led | ||
【主权项】:
一种基于一维微纳结构/氮化镓薄膜肖特基结的紫外LED,包括阴极、阳极和连接阳极的有源发光体,其特征在于,还包括一金属微纳结构,所述金属微纳结构的一端与阴极相连,另一端与有源发光体接触形成肖特基结;所述的紫外LED还包括镀有有源发光体的衬底,所述有源发光体上部分区域内镀合金金属膜作为所述的阳极。
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