[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置在审
| 申请号： | 201510054233.4 | 申请日： | 2015-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105990115A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 李伟;郝龙;金炎 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构；在半导体衬底上形成包括自下而上层叠的栅极氧化层和栅极材料层的栅极结构；执行第一离子注入，以在栅极材料层中形成第一掺杂离子；执行第二离子注入，以在栅极材料层的位于浅沟槽隔离结构的顶端拐角之上的部分形成与第一掺杂离子的导电类型相反的第二掺杂离子。根据本发明，通过改变器件的栅极材料层中的掺杂杂质分布，可以完全消除器件的双驼峰效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构；在所述半导体衬底上形成包括自下而上层叠的栅极氧化层和栅极材料层的栅极结构；执行第一离子注入，以在所述栅极材料层中形成第一掺杂离子；执行第二离子注入，以在所述栅极材料层的位于所述浅沟槽隔离结构的顶端拐角之上的部分形成与所述第一掺杂离子的导电类型相反的第二掺杂离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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