[发明专利]多芯片半导体封装结构及制作方法有效

专利信息
申请号: 201510054319.7 申请日: 2015-02-03
公开(公告)号: CN104600058B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 王晔晔;万里兮;黄小花;沈建树;钱静娴;翟玲玲;廖建亚;金凯;邹益朝;王珍 申请(专利权)人: 华天科技(昆山)电子有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48;H01L25/04
代理公司: 昆山四方专利事务所32212 代理人: 盛建德,段新颖
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种多芯片半导体封装结构及制作方法,该封装结构,包括半导体芯片,半导体芯片的第二表面形成有向第一表面延伸的开口和凹槽,且凹槽与半导体芯片的元件区背对,开口与半导体芯片的第一焊垫背对并暴露第一焊垫;第二表面、凹槽的内壁和开口的内壁上依次形成有第一绝缘层、金属布线层和第二绝缘层,凹槽内放置有至少一个功能芯片,凹槽内的其他空余空间填充有绝缘材料,且金属布线层电连接第一焊垫和功能芯片的焊垫,该封装结构能够在不增加封装厚度的基础上实现系统封装,该封装结构的制作方法利用晶圆级芯片尺寸封装技术,先进行整体封装,再将晶圆切割成单颗芯片,降低了生产成本。
搜索关键词: 芯片 半导体 封装 结构 制作方法
【主权项】:
一种多芯片半导体封装结构,包括半导体裸芯片(1),所述半导体裸芯片具有第一表面(103)和与其背对的第二表面(104);所述第一表面具有元件区(102)和位于所述元件区周边的若干个第一焊垫(101),其特征在于:所述第二表面形成有向所述第一表面延伸的开口(2)和凹槽(3),且所述凹槽与所述元件区背对,所述开口与第一焊垫背对并暴露所述第一焊垫;所述第二表面、所述凹槽的内壁和所述开口的内壁上依次形成有第一绝缘层(4)、金属布线层(5)和第二绝缘层(6),所述凹槽内放置有至少一个功能芯片(7),所述凹槽内的其他空余空间填充有绝缘材料(8),且所述金属布线层电连接所述第一焊垫和所述功能芯片的焊垫(701)。
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