[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510054485.7 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105992113B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 何昭文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述MEMS器件包括半导体衬底；第一背板，位于所述半导体衬底的上方，其中所述第一背板中设置有若干相间隔的第一穿孔；振膜，位于所述第一背板的上方，其中所述振膜包括平面结构和若干位于所述平面结构上的第一指状结构，所述第一指状结构相互竖直间隔并隔离的嵌于所述第一穿孔中；第一牺牲层，位于所述振膜和所述第一背板之间；其中，所述振膜与所述第一背板之间形成有第一空腔，所述第一空腔位于所述振膜的中间位置，所述振膜的周边与所述第一背板的周边通过所述第一牺牲层相间隔，所述第一空腔下方的所述半导体衬底中形成有背腔。本发明MEMS麦克风在单位声压水平作用下的灵敏度得到有效提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件，包括：半导体衬底；第一背板，位于所述半导体衬底的上方，其中所述第一背板中设置有若干相间隔的第一穿孔；振膜，位于所述第一背板的上方，其中所述振膜包括平面结构和若干位于所述平面结构上的第一指状结构，所述第一指状结构相互竖直间隔并隔离的嵌于所述第一穿孔中；第一牺牲层，位于所述振膜和所述第一背板之间；其中，所述振膜与所述第一背板之间形成有第一空腔，所述第一空腔位于所述振膜的中间位置，所述振膜的周边与所述第一背板的周边通过所述第一牺牲层相间隔，所述第一空腔下方的所述半导体衬底中形成有背腔，其中，所述第一穿孔的直径相同时，所述第一背板中心的所述第一穿孔的数目大于所述第一背板周边的所述第一穿孔的数目；或者，所述第一背板中心和所述第一背板周边的所述第一穿孔的数目相同时，所述第一背板中心的所述第一穿孔的直径大于所述第一背板周边的所述第一穿孔的直径。
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