[发明专利]一种制作半导体元件的方法在审
| 申请号： | 201510054964.9 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105990116A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 洪庆文;吴家荣;黄志森;陈意维;许家彰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底具有一栅极结构设于其上以及一层间介电层围绕栅极结构，然后形成一介电层于栅极结构及层间介电层上、形成一图案化硬掩模于介电层上、形成一开口于介电层及层间介电层中、进行一硅化金属制作工艺以形成一硅化金属层于开口内、在硅化金属制作工艺后去除图案化硬掩模及未反应的金属以及形成一接触插塞于开口内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底具有一栅极结构设于其上以及一层间介电层围绕该栅极结构；形成一介电层于该栅极结构及该层间介电层上；形成一图案化硬掩模于该介电层上；形成一开口于该介电层及该层间介电层中；进行一硅化金属制作工艺以形成一硅化金属层于该开口内；在该硅化金属制作工艺后去除该图案化硬掩模及未反应的金属；以及形成一接触插塞于该开口内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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