[发明专利]混合型DAC电容阵列结构在审
| 申请号： | 201510055601.7 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN104734718A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 杨雁;伏进;王国兴;李龙;吴高林;王谦;孟晓旭;籍勇亮;李勇;耿文良 | 申请（专利权）人： | 国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网公司;上海交通大学 |
| 主分类号： | H03M1/38 | 分类号： | H03M1/38 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 裴娜 |
| 地址： | 401123 重庆市渝北*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种混合型DAC电容阵列结构，包括n个C2C电容阵列单元、m个二进制电容阵列单元、一个冗余电容，n个C2C电容阵列单元中第1个比特对应的节点与冗余电容相连接，为电容阵列结构的输入端，第n个比特对应的节点与第n+1个比特到第n+m个比特对应的节点相连，为电容阵列结构的输出端，每个节点下端的电容的下极板连接一个选择开关。本发明将C2C电容阵列单元和二进制电容阵列单元相结合，从而兼有了二进制权重电容阵列结构精度高、带衰减电容阵列结构功耗低的优点，通过控制C2C电容阵列单元和二进制电容阵列单元的组成比例，能更好的满足各种模拟电子设备对低功耗、高精度的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 dac 电容 阵列 结构 | ||
【主权项】：
一种混合型DAC电容阵列结构，其特征在于：包括n个C2C电容阵列单元、m个二进制电容阵列单元、以及一个冗余电容，n个C2C单元对应从第0个到第n个比特，m个二进制电容阵列单元对应第n+1个到第n+m个比特，其中m+n＝总比特数；n个C2C电容阵列单元中共有n个电容值为C的单位电容，n‑1个电容值为2*C的电容，每个电容值为C的单位电容的上极板为相应比特所对应的节点，n个C2C电容阵列单元中共有n个节点，相邻的两个节点间用电容值为2*C的电容相连接；m个二进制电容阵列单元中共有m个电容值依次为21*C,22*C…2m*C的电容，且各电容的上极板连在一起共有1个节点，该节点对应第n+1到第n+m个比特；n个C2C电容阵列单元中第1个比特对应的节点与冗余电容相连接，为电容阵列结构的输入端，第n个比特对应的节点与第n+1个比特到第n+m个比特对应的节点相连，为电容阵列结构的输出端，每个节点下端的电容的下极板连接一个选择接地或接电源的选择开关。
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