[发明专利]异质结硅晶太阳能电池及其制造方法

摘要

一种异质结硅晶太阳能电池及其制造方法，制造方法先提供一硅晶半导体基板，接着在硅晶半导体基板的第一表面的第一透明导电层与第二表面的第二透明导电层上分别形成一第一掩模与一第二掩模；接着通过蚀刻气体去除硅晶半导体基板的侧壁表面的第一透明导电层与第二透明导电层；再来以蚀刻剂去除硅晶半导体基板的侧壁表面的第一非晶半导体层、第二非晶半导体层、第一缓冲层与第二缓冲层；最后在第一表面的第一透明导电层与第二表面的第二透明导电层上形成至少一电极，以制造出异质结硅晶太阳能电池。

主权项

一种异质结硅晶太阳能电池的制造方法，包含以下步骤：(a)提供一硅晶半导体基板，所述硅晶半导体基板具有第一型掺杂，所述硅晶半导体基板的一第一表面与一侧壁表面具有一第一缓冲层、一第一非晶半导体层以及一第一透明导电层，所述第一非晶半导体层具有一第二型掺杂，并设置在所述第一缓冲层上，所述第一透明导电层设置在所述第一非晶半导体层上；所述硅晶半导体基板的一第二表面与所述侧壁表面具有一第二缓冲层、一第二非晶半导体层以及一第二透明导电层，所述第二非晶半导体层具有所述第一型掺杂与所述第二型掺杂中的一者，并设置在所述第二缓冲层上，所述第二透明导电层设置在所述第二非晶半导体层上；(b)在所述第一表面的所述第一透明导电层与所述第二表面的所述第二透明导电层上分别形成一第一掩模与一第二掩模；(c)以一第一蚀刻剂去除所述硅晶半导体基板的所述侧壁表面的所述第一透明导电层与所述第二透明导电层；(d)以一第二蚀刻剂去除所述硅晶半导体基板的所述侧壁表面的所述第一非晶半导体层、所述第二非晶半导体层、所述第一缓冲层与所述第二缓冲层；以及(e)在所述第一表面的所述第一透明导电层与所述第二表面的所述第二透明导电层上形成至少一电极；其中，所述第一缓冲层与所述第一非晶半导体层整合为一第一整合非晶半导体层，所述第二缓冲层与所述第二非晶半导体层整合为一第二整合非晶半导体层，所述第一表面的所述第一透明导电层以及所述第一整合非晶半导体层中的至少一者的边缘与所述硅晶半导体基板的所述侧壁表面具有一第一距离，所述第二表面的所述第二透明导电层以及所述第二整合非晶半导体层中的至少一者的边缘与所述硅晶半导体基板的所述侧壁表面具有一第二距离。