[发明专利]半导体存储装置及其操作方法有效
申请号: | 201510056155.1 | 申请日: | 2015-02-03 |
公开(公告)号: | CN104835534B | 公开(公告)日: | 2019-10-08 |
发明(设计)人: | 金载镒 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种半导体存储装置,可以包括:错误检查与校正电路块,配置成接收多个单元数据,并在接收错误检查使能信号后输出已查出错误的数据和错误数据识别信号;以及数据总线反相电路块,配置成:接收多个单元数据,并通过在接收读取数据总线反相使能信号、错误检查使能信号和所述错误数据识别信号后反相或不反相多个单元数据而输出多个单元数据。 | ||
搜索关键词: | 单元数据 错误检查 使能信号 反相 半导体存储装置 错误数据 识别信号 读取数据总线 反相电路 数据总线 校正电路 输出 配置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包括:错误检查与校正电路块,配置成:接收多个单元数据,并在接收错误检查使能信号后输出已查出错误的数据和错误数据识别信号;以及数据总线反相电路块,配置成:接收所述多个单元数据,并通过响应于读取数据总线反相使能信号、所述错误检查使能信号和所述错误数据识别信号而反相或不反相所述多个单元数据来输出所述多个单元数据,其中,所述数据总线反相电路块包括:读取数据总线反相操作单元,配置成:根据包括于所述多个单元数据中的数据的电压逻辑电平,而通过反相或不反相所述单元数据来输出所述多个单元数据,并基于包括于所述多个单元数据中的具有第一电压逻辑电平的数据的数量而产生第一反相控制信号和第二反相控制信号;数据总线反相控制单元,配置成基于所述第一反相控制信号、所述第二反相控制信号和所述错误数据识别信号而输出数据总线反相控制信号;以及选择单元,配置成响应于所述数据总线反相控制信号而通过反相或不反相所述读取数据总线反相操作单元的输出信号来输出所述输出信号。
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