[发明专利]半导体器件及制备方法、半导体器件的测试结构及方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及制备方法、半导体器件的测试结构及方法。所述测试结构包括半导体衬底；浮栅，位于所述半导体衬底上；浮栅极氧化物，位于所述半导体衬底和所述浮栅之间；控制栅，位于所述浮栅上；第一终端，与所述半导体衬底连接；第二终端，与所述控制栅电连接；第三终端，与露出的所述浮栅电连接。本发明所述测试结构和方法的优点在于：(1)可以通过在线WAT测试来监控周围区器件的所述浮栅和控制栅之间的界面层。(2)当所述周围区器件的所述浮栅和控制栅之间存在界面层，本发明所述检测结构仍可以准确的检测到栅极氧化物的电容‑电流曲线，并且反馈得到准确的栅极氧化物的厚度。

主权项

1.一种半导体器件的测试结构，位于周围单元区，其特征在于，包括：半导体衬底；浮栅，位于所述半导体衬底上；浮栅极氧化物，位于所述半导体衬底和所述浮栅之间；控制栅，位于所述浮栅上并与所述浮栅直接相接，并且露出部分所述浮栅；第一终端，与所述半导体衬底电连接；第二终端，与所述控制栅电连接；第三终端，与露出的所述浮栅电连接。