[发明专利]GaN基LED外延结构的制备方法

摘要

本发明提供一种GaN基LED外延结构的制备方法，所述制备方法包括制作依次层叠的成核层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN超晶格量子阱结构、由高温到低温逐渐变温生长的InGaN/GaN前置量子阱结构、多量子阱发光层结构、AlGaN层，低温P型层、P型电子阻挡层、以及P型GaN层。本发明采用变温的方式来生长InGaN/GaN前置量子阱结构，该前置量子阱结构可以通过缓冲电子向P端的流动来调制电子在发光量子阱中的分布，从而可以使电子在发光量子阱中分布更加均匀，增强了内量子效率，提高外延结构的发光效率。

主权项

1.一种GaN基LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：步骤1)，提供一生长衬底，于所述生长衬底上依次生长成核层、未掺杂的GaN层以及N型GaN层；步骤2)，于所述N型GaN层上生长InGaN/GaN超晶格量子阱结构；步骤3)，于所述InGaN/GaN超晶格量子阱结构上由高温到低温逐渐变温生长InGaN/GaN前置量子阱结构，所述InGaN/GaN前置量子阱结构包括多个依次生长的势垒势阱周期对，其中，对于同一个势垒势阱周期对，生长温度相同；对于不同的势垒势阱周期对，依生长次序生长温度依次降低，所述InGaN/GaN前置量子阱结构变温生长的温度范围为795～780℃；步骤4)，于所述InGaN/GaN前置量子阱结构上生长多量子阱发光层结构；步骤5)，于所述多量子阱发光层结构上依次生长AlGaN层、低温P型层以及P型电子阻挡层；步骤6)，于所述P型电子阻挡层上生长P型GaN层。