[发明专利]带有集成加热器的GE/SI雪崩光电二极管及其制作方法

摘要

提供了一种带有集成加热器的Ge/Si雪崩光电二极管的新颖结构及其制作方法的各种不同的实施例。在一方面，在顶面硅层或者硅基板层上形成掺杂区，以起到电阻的作用。当环境温度降低到某个点时，将自动触发温度控制回路并沿着加热器施加适当的偏置，因此，Ge/Si雪崩光电二极管的结合区的温度被保持在优化的范围以内，以保持该雪崩光电二极管的高灵敏度水平以及低误码率水平。

主权项

一种Ge/Si雪崩光电二极管装置，包括：基板；至少一个顶面被照亮的Ge/Si雪崩光电二极管，其在所述基板的第一侧面上，所述Ge/Si雪崩光电二极管包括：第一Si层，其以第一类型掺杂剂掺杂；第二Si层，其作为倍增层，为非故意地掺杂，或以浓度低于5E17cm‑3的所述第一类型掺杂剂轻微地掺杂，或以浓度低于5E17cm‑3的第二类型掺杂剂轻微地掺杂；电荷层，其被以所述第二类型掺杂剂掺杂；Ge层，其作为吸收层，为非故意地掺杂，或以浓度低于5E17cm‑3的所述第一类型掺杂剂轻微地掺杂，或以浓度低于5E17cm‑3的所述第二类型掺杂剂轻微地掺杂；以及掺杂层，其被以所述第二类型掺杂剂掺杂；以及至少一个加热器，其被集成在所述基板之中或之上，其中，当环境温度在阈值温度以下时，控制回路自动响应并施加偏置于其上，所述至少一个加热器被配置成增加所述Ge/Si雪崩光电二极管结构的温度，以保持所述Ge/Si雪崩光电二极管结构的灵敏度水平。