[发明专利]平坦化方法

摘要

本发明提供了一种平坦化方法，由第二填充层替代传统的反向工艺中的光刻胶覆盖于第一填充层表面，通过第一次化学机械研磨去除第一填充层中第二凹陷以外的第二填充层，并以第二凹陷内的第二填充层为掩膜，利用第一次刻蚀去除大部分的第一填充层，在去除第二凹陷内的第二填充层后，通过第二次化学机械研磨去除剩余的第一填充层，由此在避免化学机械研磨工艺产生的严重的负载效应的同时，降低了工艺成本。

主权项

1.一种平坦化方法，其特征在于，包括：提供待研磨的半导体基底，所述半导体基底形成有第一凹陷；于所述半导体基底上覆盖形成第一填充层，所述第一填充层完全填充所述第一凹陷，并且，所述第一填充层形成有对应所述第一凹陷位置的第二凹陷；于所述第一填充层表面沉积第二填充层，所述第二填充层完全填充所述第二凹陷，并覆盖所述第一填充层表面；执行第一次化学机械研磨，以暴露所述第一填充层表面；执行第一次刻蚀，以去除暴露的第一填充层；执行第二次刻蚀去除剩余的第二填充层；执行第二次化学机械研磨，以去除剩余的第一填充层；其中，所述第一填充层的材料与所述第二填充层的材料不同；所述第二填充层的材料相对于第一填充层的材料于所述第一次化学机械研磨中呈高的化学机械研磨选择比；所述第二填充层的材料相对于第一填充层的材料于所述第一次刻蚀中呈现低的刻蚀选择比；所述第二填充层的材料相对于第一填充层的材料于所述第二次刻蚀中呈现高的刻蚀选择比。