[发明专利]双掩膜自对准图案化的方法

摘要

本发明公开了一种双掩膜自对准图案化的方法，首先以图案化的光刻胶作为第一内核，于第一内核表面覆盖第一RELACS材料层，并进行第一次热交联反应，生成第一热交联反应物层；在去除部分第一热交联反应物层和图案化光刻胶后，以剩余的第一热交联反应物层为第二内核，于剩余的第一热交联反应物层表面覆盖第二RELACS材料层，并进行第二次热交联反应，生成第二热交联反应物层；最后依次去除部分第二热交联反应物层和剩余的第一热交联反应物，以剩余的第二热交联反应物层作为掩膜图案，由此实现了具有高密度线的精细图形。

主权项

1.一种双掩膜自对准图案化的方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀的半导体基底；在所述半导体基底表面形成图案化的光刻胶；形成覆盖所述图案化的光刻胶表面的第一RELACS材料层；进行第一次热处理，以使所述第一RELACS材料层与所述图案化的光刻胶接触处发生热交联反应，形成第一热交联反应物层；去除未与所述图案化的光刻胶发生热交联反应的第一RELACS材料层；去除所述图案化的光刻胶顶端的所述第一热交联反应物层，并去除所述图案化的光刻胶；形成覆盖剩余的所述第一热交联反应物层的第二RELACS材料层；进行第二次热处理，以使所述第二RELACS材料层与剩余的所述第一热交联反应物层接触处发生热交联反应，形成第二热交联反应物层；去除没有与剩余的所述第一热交联反应物层发生热交联反应的第二RELACS材料层；去除剩余的所述第一热交联反应物顶端的第二热交联反应物层，并去除剩余的所述第一热交联反应物；以剩余的所述第二热交联反应物层作为掩膜图案；其中，所述第一RELACS材料层采用硅基RELACS材料，所述第二RELACS材料层采用碳基RELACS材料；或者，所述第一RELACS材料层采用碳基RELACS材料，所述第二RELACS材料层采用硅基RELACS材料。