[发明专利]一种具有体区自适应偏置功能的CMOSSOI射频开关结构

摘要

本发明涉及射频开关领域，尤其涉及一种具有体区自适应偏置功能的CMOS SOI射频开关结构，包括若干电阻、若干BC nMOS开关管和若干FB nMOS偏置管，将BC nMOS开关管的体区连接到“二极管连接”的FB nMOS偏置管阳极，将BC nMOS开关管的栅极连接到“二极管连接”的FB nMOS偏置管的阴极。本发明所提供的技术方案能够让射频开关同时获得低的插入损耗和低的二次三次谐波；另一方面，随着开关掷数的增加，本发明可以有效简化射频开关内部连线与结点接触、降低寄生耦合效应以及节省芯片面积。

主权项

一种具有体区自适应偏置功能的CMOS SOI射频开关结构，其特征在于，包括发射通路BC nMOS开关管、接收通路BC nMOS开关管、偏置电阻和FB nMOS偏置管，所述偏置电阻包括第一偏置电阻、第二偏置电阻、第三偏置电阻和第四偏置电阻，所述FB pMOS偏置管包括第一偏置管和第二偏置管；所述发射通路BC nMOS开关管设有的漏极与发射信号TX连接，所述发射通路BC nMOS开关管设有的源极连接到天线ANT，同时连接到接收通路BC nMOS开关管设有的漏极，所述接收通路BC nMOS开关管设有的源极连接到接收信号RX；所述第二偏置电阻一端连接到所述发射通路BC nMOS开关管的漏极，另一端连接到所述发射通路BC nMOS开关管的源极，所述第四偏置电阻一端连接到所述接收通路BC nMOS开关管的漏极，另一端连接到所述接收通路BC nMOS开关管的源极，所述发射通路BC nMOS开关管设有的栅极通过所述第一偏置电阻连接到控制信号VG1；所述接收通路BC nMOS开关管设有的栅极通过第三偏置电阻连接到控制信号VG2， 所述第一偏置管的漏极与自身的栅极相连后接到所述发射通路BC nMOS开关管的体区，所述第一偏置管的源极连接到发射通路BC nMOS开关管的栅极，所述第二偏置管的漏极与自身的栅极相连后接到接收通路BC nMOS开关管的体区，所述第二偏置管的源极连接到所述接收通路BC nMOS开关管的栅极。