[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510057350.6 | 申请日： | 2015-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105990144B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件制作方法，该方法包括：步骤a：提供半导体衬底；步骤b：在所述半导体衬底上形成具有开口的绝缘层以及位于所述开口中的硅层，在所述开口区域以及所述开口区域下方的半导体衬底表层形成重掺杂区；步骤c：在所述绝缘层上形成沟道区域、栅极氧化层和栅极；步骤d：在所述栅极两侧形成源区和漏区；其中，所述源区和漏区与沟道区域形成肖特基接触。通过本发明的半导体器件制作方法，可改善器件的自热效应、漏致势垒降低效应和亚阈特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤a：提供半导体衬底；步骤b：在所述半导体衬底上形成具有开口的绝缘层以及位于所述开口中的硅层，在所述开口区域以及所述开口区域下方的半导体衬底表层形成重掺杂区；步骤c：在所述绝缘层上形成沟道区域、栅极氧化层和栅极；步骤d：在所述栅极两侧形成源区和漏区；其中，所述源区和漏区与沟道区域形成肖特基接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
