[发明专利]薄膜太阳能电池的制造方法在审
申请号: | 201510057379.4 | 申请日: | 2015-02-04 |
公开(公告)号: | CN105990467A | 公开(公告)日: | 2016-10-05 |
发明(设计)人: | 侯惟仁;李升翰;王智正 | 申请(专利权)人: | 新能光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 贾磊 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种薄膜太阳能电池的制造方法,该太阳能电池包含多个电池单元,该方法包含:进行第二图案化程序,以机械式切割方式,移除两相邻电池单元间一半导体层分离区中的吸收层及缓冲层,以将两相邻电池单元的吸收层及缓冲层分离,再利用另一激光照射至该半导体层分离区。通过本发明可以减少背电极层中的二次形成物层,借以降低背电极层及上电极层间的接触电阻,而增加薄膜太阳能电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池的制造方法,该薄膜太阳能电池包含多个电池单元,其特征在于,该方法包含:形成一背电极层于一基板上;进行第一图案化程序,利用一激光切割该背电极层,以形成互相分离的该些电池单元的一背电极;形成一吸收层于该背电极层上;形成一缓冲层于该薄膜层上;进行第二图案化程序,利用以机械式划线方式,移除两相邻电池单元间一分离区中的该吸收层及缓冲层,以将两相邻电池单元的吸收层及缓冲层分离,再利用另一激光照射至该分离区;形成一上电极层于该缓冲层上,并使在该分离区中的该背电极层及该上电极层接触而形成一接触界面;以及进行第三图案化程序,用以将两相邻的电池单元分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的