[发明专利]一种硅异质结太阳能电池结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种硅异质结太阳能电池结构及其制造方法。该结构包括n型晶体硅，其正面和背面均使用氢化非晶硅进行钝化处理；p型氢化非晶硅层；n型氢化非晶硅层；第一TCO层，位于p型氢化非晶硅层的上方；第二TCO层，位于n型氢化非晶硅层的下方；非晶TCO层，形成于第二TCO层的一表面；银胶层，呈栅格状；以及缓冲薄膜层，溅镀形成于非晶TCO层的一表面。相比于现有技术，本发明在背面电极一侧于第二TCO层与缓冲薄膜层之间额外设置一非晶TCO层，利用该非晶TCO层与溅镀的Ag薄膜形成氧化银，从而使后溅镀上的Ag能够与非晶TCO层产生化学反应而生成氧-银键，进而提高模组串焊时的焊带拉力。

主权项

一种硅异质结太阳能电池结构，其特征在于，所述硅异质结太阳能电池结构包括：一n型晶体硅，具有一正面和一背面，所述正面和所述背面均使用氢化非晶硅进行钝化处理；一p型氢化非晶硅层，位于所述n型晶体硅的正面之上，且与所述n型晶体硅进行异质结；一n型氢化非晶硅层，位于所述n型晶体硅的背面之下，且与所述n型晶体硅进行异质结；一第一透明导电氧化层，位于所述p型氢化非晶硅层的上方；一第二透明导电氧化层，位于所述n型氢化非晶硅层的下方；一非晶透明导电氧化层，形成于所述第二透明导电氧化层的远离所述n型晶体硅的一表面；一银胶层，呈栅格状，形成于所述第一透明导电氧化层的上方；以及一缓冲薄膜层，溅镀形成于所述非晶透明导电氧化层的远离所述n型晶体硅的一表面。