[发明专利]一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法

摘要

本发明公开一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其采用电子束光刻胶做掩膜，对样品进行不同栅长阵列曝光，显影出需要腐蚀的栅凹槽条，将样品分裂成6个小样品分别对其不同时间的栅凹槽腐蚀实验，利用原子力显微镜测试腐蚀栅凹槽的深度，利用扫描电子显微镜观察栅凹槽表面腐蚀形貌的平整度，达到快速找出对应不同栅长下的最佳腐蚀时间，实现简单的栅凹槽腐蚀监控。本发明具监控精确、直观形象、对器件影响小和适用范围广的特点，改善了以往一直以来利用电流曲线监控栅凹槽腐蚀的不足。

主权项

一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法，其特征是，包括如下步骤：步骤1：在用于制作纳米栅条的样品表面匀电子束光刻胶，利用电子束光刻机曝光，形成栅凹槽腐蚀掩膜图形；步骤2：配制栅凹槽腐蚀液；步骤3：将以上电子束光刻后的样品裂分成多个小样品，并使用配制的腐蚀液对小样品进行腐蚀，每个小样品设定不同的腐蚀时间；步骤4：去除样品表面的电子束光刻胶掩膜层；步骤5：利用原子力显微镜测试各个小样品凹槽腐蚀深度；利用扫描电子显微镜观察在不同腐蚀时间各小样品的不同栅长下的栅凹槽表面腐蚀形貌结构即平整度；步骤6：根据样品给定的外延层材料种类与厚度，初步确定希望腐蚀的深度，分析原子力显微镜对不同样品进行腐蚀深度测试结果，找出相应腐蚀深度相近的样品，通过扫描电子显微镜检测原子力显微镜所找出对应样品的对应栅长的凹槽腐蚀的平整度，表面腐蚀平滑的样品确定为腐蚀质量最好的样品，即为对应栅长希望腐蚀深度下的最佳腐蚀条件。