[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：在核心器件的栅极结构的两侧形成包括第一氮化硅层或由内向外包括第一氧化硅层、第一氮化硅层和第二氧化硅层的第一侧壁层；以及，在第一侧壁层的外侧形成第二侧壁层，其中第二侧壁层包括第二氮化硅层并且覆盖第一侧壁层。该方法通过在形成位于核心区的金属硅化物之前在核心器件的栅极结构两侧形成自内向外包括氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层和氮化硅层的侧壁层或自内向外包括氮化硅层和氮化硅层的侧壁层，可以保证位于核心区的金属硅化物具有良好的形貌并可以保证器件的性能。本发明的电子装置包括根据上述方法制得的半导体器件，同样具有上述优点。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：在半导体衬底(100)上形成隧道氧化层(101)、浮栅材料层(102)、栅间介电层(103)、控制栅材料层(104)和硬掩膜层(105)，对所述硬掩膜层、所述控制栅材料层、所述栅间介电层和所述浮栅材料层位于核心区的部分进行刻蚀以形成核心器件的栅极结构(201)；步骤S102：在所述核心器件的栅极结构的两侧形成第一侧壁层(203)，其中所述第一侧壁层包括第一氮化硅层(2032)或者由内向外包括第一氧化硅层(2031)、第一氮化硅层(2032)和第二氧化硅层(2033)；步骤S103：在所述第一侧壁层的外侧形成第二侧壁层(205)，其中所述第二侧壁层包括第二氮化硅层并且覆盖所述第一侧壁层；步骤S104：在所述半导体衬底上形成第一层间介电层(206)，去除所述第一层间介电层位于周边区的部分以及所述硬掩膜层位于周边区的部分，对所述浮栅材料层和所述控制栅材料层位于周边区的部分进行刻蚀以形成周边器件的栅极(301)；步骤S105：在所述周边器件的栅极的两侧形成第三侧壁层；步骤S106：执行如下步骤以形成位于周边区的金属硅化物(306)：沉积镍金属层；进行快速热退火以形成镍金属硅化物；去除过量的镍金属；步骤S107：在所述半导体衬底上形成第二层间介电层(307)，去除所述第二层间介电层位于核心区的部分，对所述第二层间介电层和所述第一层间介电层进行CMP，在所述核心区和所述周边区形成接触孔(308)；步骤S108：执行如下步骤以形成位于核心区的金属硅化物(310)：沉积镍金属层；进行快速热退火以形成镍金属硅化物；去除过量的镍金属；进行激光退火。