[发明专利]高亮度GaN基LED外延结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510059259.8 | 申请日： | 2015-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104638074B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 琚晶;马后永;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高亮度GaN基LED外延结构及其制作方法，所述外延结构包括依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、N型GaN层、超晶格结构、周期性多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层。所述多量子阱结构中的势阱分三步生长，一方面可以减小电子和空穴波函数的空间分离，提高辐射性复合效率；另一方面在量子阱生长过程中先通一段时间In源，可以使In源在量子阱中分布更加均匀，从而进一步提高了发光效率。通过三步生长多量子阱结构的方法实现了亮度的提高和量子效率下降的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 gan led 外延 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高亮度GaN基LED外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、N型GaN层、超晶格结构、多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层；其中，所述多量子阱结构由第一InGaN势阱与第一GaN势垒交替组成，所述第一InGaN势阱分三步生长而成，三步生长所述第一InGaN势阱的具体方法为：第一步，提供Ga源及In源，打开所述Ga源及所述In源，同时通入Ga及In以生长部分所述第一InGaN势阱；第二步，关闭所述Ga源，只通入In；第三步，再次打开Ga源，再次同时通入Ga及In以继续生长所述第一InGaN势阱。
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