[发明专利]阈值补偿整流电路有效
申请号: | 201510059354.8 | 申请日: | 2015-02-04 |
公开(公告)号: | CN105991047B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 刘昱;刘欣;张海英 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张瑾 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阈值补偿整流电路,包括N级互补MOS整流单元、互补MOS输出整流单元以及负载电容和负载电阻;每一级互补MOS整流单元都具有第一输入端、第二输入端和输出端;当前级互补MOS整流单元的第一输入端与前一级互补MOS整流单元的输出端相连,第二输入端与第一输入信号或第二输入信号相连,输出端与下一级互补MOS整流单元的第一输入端相连;第一级互补MOS整流单元的第一输入端与地相连;最后一级互补MOS整流单元的输出端与互补MOS输出整流单元的输入端相连;所述互补MOS输出整流单元具有一个输入端和一个输出端,其中,输出端与输出信号相连;所述负载电容的一端与输出信号相连,另一端与地相连;所述负载电阻的一端与输出信号相连,另一端与地相连。 | ||
搜索关键词: | 阈值 补偿 整流 电路 | ||
【主权项】:
1.一种阈值补偿整流电路,其特征在于,包括:第一级至第N级的互补MOS整流单元、互补MOS输出整流单元以及负载电容和负载电阻;所述第一级至第N级的互补MOS整流单元的每一级互补MOS整流单元都具有第一输入端、第二输入端和输出端;当前级互补MOS整流单元的第一输入端与前一级互补MOS整流单元的输出端相连,第二输入端与第一输入信号或第二输入信号相连,输出端与下一级互补MOS整流单元的第一输入端相连;第一级互补MOS整流单元的第一输入端与地相连;最后一级互补MOS整流单元的输出端与互补MOS输出整流单元的输入端相连;所述互补MOS输出整流单元具有一个输入端和一个输出端;其中,所述互补MOS输出整流单元的输出端与输出信号相连;所述负载电容的一端与输出信号相连,另一端与地相连;所述负载电阻的一端与输出信号相连,另一端与地相连;所述每一级互补MOS整流单元包括:一个PMOS晶体管、一个NMOS晶体管、第一偏置电压源、第二偏置电压源和一个耦合电容;所述PMOS晶体管的源极与所述第二偏置电压源的负端相连,并一起连接到该级互补MOS整流单元的第一输入端,所述PMOS晶体管的栅极与所述第一偏置电压源的负端相连,所述PMOS晶体管的漏极和衬底连接在一起,并与所述NMOS晶体管的漏极和衬底相连;所述NMOS晶体管的源极与所述第一偏置电压源的正端相连,并一起连接到该级互补MOS整流单元的输出端,所述NMOS晶体管的栅极与所述第二偏置电压源的正端相连;所述耦合电容的一端与该级互补MOS整流单元的输出端相连,另一端与该级互补MOS整流单元的第二输入端相连;所述互补MOS输出整流单元包括:一个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管;所述PMOS晶体管的源极与所述NMOS晶体管的栅极相连,并一起与互补MOS输出整流单元的输入端相连,所述PMOS晶体管的栅极与所述NMOS晶体管的源极相连,并一起与互补MOS输出整流单元的输出端相连,所述PMOS晶体管的漏极和衬底连接在一起,并与所述NMOS晶体管的漏极和衬底相连。
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