[发明专利]一种电子元器件真空吸测试方法在审
申请号: | 201510060848.8 | 申请日: | 2015-02-05 |
公开(公告)号: | CN104635180A | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 张小东;覃小峰;缪来虎;叶青山 | 申请(专利权)人: | 深圳市华腾半导体设备有限公司 |
主分类号: | G01R31/44 | 分类号: | G01R31/44;G01R1/04;G01M11/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种电子元器件真空吸的测试方法,其特征在于:所述方法包括如下步骤:①发光元件由振动盘筛选引脚向下进入直振轨道;②再由真空和破真空的方式转移到转盘上的卡槽里面。③通过真空将材料吸附在PCB板或类似此结构上,接触发光元件的引脚,通电使其发光,同时检测元件从上对其光电特性进行检测。此种测试方法能够适合电子元器件的制造工艺,测试范围更广。 | ||
搜索关键词: | 一种 电子元器件 真空 测试 方法 | ||
【主权项】:
种电子元器件的真空吸测试方法,其特征在于:所述方法包括如下步骤:发光元件由振动盘筛选引脚向下进入直振轨道;(2)再由真空和破真空的方式转移到转盘上的卡槽里面;(3)通过真空将材料吸附在PCB板或类似此结构上,接触发光元件的引脚,通电使其发光,同时检测元件从上对其光电特性进行检测。
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